Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

総合得点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

バグを報告する

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 40

周辺 -18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.6 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.2 8.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 34
読み出し速度、GB/s

12.3 15.6
書き込み速度、GB/秒

8.9 11.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1789 2468

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

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Kingston HX318C10FK/4 4GB

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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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Kingston 9965669-019.A00G 16GB

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