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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
40
周辺 -60% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
25
読み出し速度、GB/s
12.3
14.8
書き込み速度、GB/秒
8.9
10.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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