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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 40
    周辺 -122% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 18.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 3529

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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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