RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比較する
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
57
周辺 30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
9.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
7.8
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
57
読み出し速度、GB/s
12.3
9.3
書き込み速度、GB/秒
8.9
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
2233
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link