Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 40
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 14.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1789 left arrow 3444
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較