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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

総合得点
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 49
    周辺 41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.2 left arrow 5.2
    テスト平均値
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.2 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1207 left arrow 1223

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