Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 49

En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

9.4 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

6.2 5.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 8500

En 1.25 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1207 1223

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns