Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
star star star star star
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 70
    En -141% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.4 left arrow 6.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.2 left arrow 4.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    70 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.4 left arrow 9.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    4.5 left arrow 6.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1071 left arrow 1207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones