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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
70
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
4.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
70
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1071
1207
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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