Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
    Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 70
    Rund um -141% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 6.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.2 left arrow 4.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    70 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.4 left arrow 9.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.5 left arrow 6.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1071 left arrow 1207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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