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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
70
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
4.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
70
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
6.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1071
1207
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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