Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 8500
    Por volta de 1.25% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 70
    Por volta de -141% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.4 left arrow 6.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.2 left arrow 4.5
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    70 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.4 left arrow 9.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.5 left arrow 6.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1071 left arrow 1207
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RAM 1
RAM 2

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