Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    10600 left arrow 8500
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 70
    Wokół strony -141% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.4 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.2 left arrow 4.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    70 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6.4 left arrow 9.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    4.5 left arrow 6.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1071 left arrow 1207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania