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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Note globale
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
70
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.2
4.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
70
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
4.5
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
8500
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1071
1207
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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