Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Note globale
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB

Note globale
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Différences

  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 8500
    Autour de 1.25% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 70
    Autour de -141% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    9.4 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    6.2 left arrow 4.5
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    70 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.4 left arrow 9.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    4.5 left arrow 6.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1071 left arrow 1207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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