RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
比較する
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
35
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
35
読み出し速度、GB/s
10.6
13.7
書き込み速度、GB/秒
6.8
10.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1479
2731
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link