RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 67
    周辺 55% 低遅延
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2042

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
メモリRAM