RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
比較する
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
25
読み出し速度、GB/s
10.6
15.2
書き込み速度、GB/秒
6.8
11.4
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1479
2346
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link