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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB

総合得点
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 34
    周辺 12% 低遅延
Kingston KTP9W1-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2978

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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