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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
30
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
8500
周辺 3.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
23
読み出し速度、GB/s
10.6
17.0
書き込み速度、GB/秒
6.8
13.4
メモリ帯域幅、mbps
8500
25600
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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