RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 78
    周辺 62% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 6.4
    テスト平均値
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 78
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 6.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 1584

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
メモリRAM