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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

総合得点
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 61
    周辺 51% 低遅延
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 61
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2134

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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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メモリRAM
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SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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