RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 30
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2726

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
メモリRAM