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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11 left arrow 9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 4.8
    テスト平均値
AMD R334G1339U2S 4GB 考慮すべき理由
AMD R334G1339U2S 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 43
    周辺 -48% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.0 left arrow 9.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1393 left arrow 1726

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メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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