Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

総合得点

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

総合得点

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

バグを報告する

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

14 27

周辺 -93% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

26.4 12.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

19.8 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 14
読み出し速度、GB/s

12.2 26.4
書き込み速度、GB/秒

7.8 19.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1763 4362

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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