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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
比較する
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
総合得点
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
総合得点
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
45
周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
12.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
7.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
45
読み出し速度、GB/s
12.2
12.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
7.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1763
2054
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAMの比較
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Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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