RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1763 left arrow 2935

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
メモリRAM