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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
83
周辺 45% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
14.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
83
読み出し速度、GB/s
14.2
14.3
書き込み速度、GB/秒
13.6
7.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
1752
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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