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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
83
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
83
读取速度,GB/s
14.2
14.3
写入速度,GB/s
13.6
7.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
1752
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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