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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
10.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
14.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
14.2
15.2
書き込み速度、GB/秒
13.6
10.2
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
2764
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