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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
46
周辺 -39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
14.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
33
読み出し速度、GB/s
14.2
16.9
書き込み速度、GB/秒
13.6
10.4
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
3035
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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