RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3035
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link