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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 48
    周辺 50% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    15.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2852 left arrow 3047

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB RAMの比較

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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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