RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2852
3047
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link