Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 48
    Около 50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.7 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.1 left arrow 15.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2852 left arrow 3047
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения