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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
31
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
17.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
12.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
31
読み出し速度、GB/s
17.7
18.2
書き込み速度、GB/秒
12.7
14.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3439
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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