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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
30
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
17
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
30
読み出し速度、GB/s
17.7
17.0
書き込み速度、GB/秒
12.7
12.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3142
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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