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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 28
    周辺 21% 低遅延
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 17.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 21300
    周辺 1.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.7 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3075 left arrow 3491

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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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メモリRAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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