RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

総合得点
star star star star star
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17
    テスト平均値
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB 考慮すべき理由
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    65 left arrow 77
    周辺 -18% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 1,884.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    2,936.9 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,884.0 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    564 left arrow 1875

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAMの比較

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
メモリRAM