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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
総合得点
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
101
周辺 -206% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
101
33
読み出し速度、GB/s
14.2
11.6
書き込み速度、GB/秒
7.0
8.3
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1313
2227
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