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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
101
Por volta de -206% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
101
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1313
2227
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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