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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
10.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
14.7
17.3
書き込み速度、GB/秒
10.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
3299
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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