RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3299
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link