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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
74
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
67
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2042
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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