RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
74
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
67
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2042
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link