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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
総合得点
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
67
74
周辺 -10% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
2,201.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
74
67
読み出し速度、GB/s
4,178.4
15.3
書き込み速度、GB/秒
2,201.1
8.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
508
2042
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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