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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
37
周辺 -76% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
21
読み出し速度、GB/s
14.7
17.6
書き込み速度、GB/秒
10.6
12.2
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
3126
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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