SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

総合得点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

36 37

周辺 3% 低遅延

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.9 15

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.8 10.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

36 37
読み出し速度、GB/s

15.0 16.9
書き込み速度、GB/秒

10.1 13.8
メモリ帯域幅、mbps

21300 25600

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2657 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

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