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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
3170
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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