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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 36
    周辺 -80% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 10.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2657 left arrow 3473

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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