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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
36
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
10.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
30
読み出し速度、GB/s
15.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2657
3164
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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