RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 48
    周辺 -118% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 7.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.0 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1955 left arrow 2995

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM