RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 41
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1438 left arrow 2831

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAMの比較

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
メモリRAM