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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
51
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
30
読み出し速度、GB/s
15.6
17.6
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3473
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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